Irakasgai honek oinarrizko moduluko MB4 gaitasuna garatzen du (partzialki): "Ulertzea eta menperatzea honako kontzeptu hauek: sistema linealak eta loturiko funtzioak eta transformadak, zirkuitu elektrikoen teoria, zirkuitu elektronikoak, erdieroaleen oinarri fisikoak eta familia logikoak, gailu elektroniko eta fotonikoak, eta materialen teknologia.Orobat, aurreko kontzeptuak aplikatzen jakitea ingeniaritzaren berezko arazoak ebazteko".



Ikastearen emaitzei dagokienez, ikaslea eginkizun hauetarako izango da gai: egungo zirkuitu elektroniko gehienetan erabiltzen diren gailu elektroniko nagusien funtzionamendua menperatzeko eta gailu elektroniko hauek estatikoan eta dinamikoan duten portaera analizatzeko. Konkretuki:



- Gailuek (diodoek eta transistoreek) estatikoan eta dinamikoan duten portaera analizatzeko.

- Kurba estatikoak ulertu eta erabiltzeko, zirkuitu baliokideak eta gailuen funtzionamenduan parte hartzen duten parametro nagusiak erabiltzeko.

- Kasu praktikoak ebazteko, eta gailuak erabiltzen dituzten zirkuituak diseinatu eta muntatzeko (kontzeptu eta hurbilketak erabiliz).

- Grafikoetan eta tauletan topa ditzakeen informazioa erraz ulertzeko.

- Asetasuneko korrontea edo eskualde dipolarraren zabalera kalkulatzeko formulak, besteak beste, aplikatzeko.

- Teoria zuzenki aplikatzea baino ez diren buruketak ebaztea, hau da, enuntziatuak, kontzeptuak eta formulak bereganatzea eskatzen duten buruketak ebazteko.

Irakasgai honek 6 kredituko pisua du: %50 teorikoak eta %50 praktikoak dira. Kreditu praktikoei dagokienez, ariketen ebazpena eta, batez ere, laborategiko praktikak (gidatuak) hartzen dituzte. Gai teorikoak hiru bloke handitan banatuta daude: PN junturako diodoa, junturako transistore bipolarra eta eremu efektuko transistorea. Laborategiko praktikak ere banan-banan aipatzen dira.



GAI ZERRENDA



I. PN JUNTURA - DIODOA



1. PN juntura oreka termodinamikoan.

2. PN junturaren polarizazioa.

2.1. Polarizazio zuzena.

2.2. Alderantzizko polarizazioa.

2.3 Diodoaren ezaugarri-kurba.

3. Zirkuitu diododun bat ebazten.

4. Seinale handiko ereduak.

5. Diododun zirkuituak.

5.1. Uhin erdiko zuzentzailea.

5.2. Uhin osoko zuzentzailea.

5.3. Iragazpena.

5.4. Zirkuitu ebakitzaileak.

6. Diodoa erregimen dinamikoan.

6.1. Seinale txikiko erregimena.

6.2. kommutazio denborak.

7. Beste diodo mota batzuk: LEDak, fotodiodoak, zelula fotovoltaikoak, ...





II. JUNTURAKO TRANSISTORE BIPOLARRA (BJT)



8. Transistore bipolarraren estatikoko ezaugarriak.

8.1 . Transistore bipolarraren egitura.

8.2. Lan-guneak.

8.3. Funtzionamendua aktiboan.

9. Seinale handiko ereduak.

9.1. Ebers-Mollen eredua.

9.2. Ezaugarri-kurba idealak.

9.3. kargaren zuzena estatikoan.

9.4. Polarizaioaren egonkortasuna: autopolarizazio-zirkuitua.

10. BJT idealarekiko desbideratzeak.

10.1. Early elektua.

10.2. Beta parametroaren kolektoreko korrontearekiko menpekotasuna.

11. BJT transistorea erregimen dinamikoan

11.1. Erregimen dinamikoa eta aktiboko zirkuitu baliokide orokorra.

11.2. Seinale txikiko anplifikatzailea.

11.3. Kommutatzailea.

12. BJTa kuadripoloen ikuspuntutik.

12.1. Parametro hibridoak.

12.2. Maiztasunaren efektua.

13. Zirkuitu anplifikatzaileak BJTak erabiliz.

13.1. Igorle komuneko anplifikadorea.

13.2. Kolektore komuneko anplifikadorea.

13.3. Base komuneko anplifikadorea.

13.4. Egituren arteko alderaketa.

13.5. Igorle komuneko anplifikadorea igorle-erresistentzia erabiliz.





III. EREMU EFEKTUKO TRANSISTOREA (FET)



14. Eremu efektuko transistorea: MOSFETa.

14.1. MOS egitura.

14.2. MOS egituraren portaera tentsiopean: metaketa, deplexioa eta inbertsioa.

14.3. MOSFET transistorearen funtzionamendua: metaketa.

14.4. Ezaugarri-kurbak.

14.5. Motak.

15. Eremu efektuko transistorea: JFETa.

15.1. JFETaren egitura.

15.2. JFETaren funtzionamenduaren oinarriak.

15.3. Itotze-tentsioa.

15.4. Ezaugarri-kurbak.

15.5. MESFETa.

16. Seinale txikiko zirkuitu baliokidea.

17. FETen polarizazioa.

17.1. Iturri autopolarizatuko zirkuitua.

17.2. Ugaltze MOSFETerako zirkuitua.

17.3. Polarizazio-zirkuitu orokorra.





LABORATEGIKO PRAKTIKAK



I-Diodoak I: I-V ezaugarria eta zirkuitu artezleak.

II-Diodoak II: Zener diodoak eta erregulazioa.

III-Diodoak III: Zuzentzea iragazkiarekin eta ZENERraren bidezko erregulazioarekin.

IV-BJT I: I-V kurbak. Lan-guneak.

V-BJT II: Polarizazioa eta egonkortasuna.

VI-BJT III: Korronte-iturriak.

VII-BJT IV: Oinarrizko anplifikazio-zirkuituak: kolektore komunekoa.

VIII-BJT V: Oinarrizko anplifikazio-zirkuituak: igorle komunekoa.

IX-BJT VI: Push-pull irteera.

X-FET: Polarizazioa eta anplifikatzea.

Irakasgai honek 6 kredituko pisua du: %50 teorikoak eta %50 praktikoak dira. Kreditu praktikoei dagokienez, ariketen ebazpena eta, batez ere, laborategiko praktikak (gidatuak) hartzen dituzte.



Irakasgaian eskola teorikoek 30 ordu hartzen dituzte; gelako praktikek 7,5 eta laborategikoek 22,5. Eskola teorikoek garrantzia handia izango dute kontzeptuak azaltzeko eta ezagutza transmititzeko, eta haietan, batez ere kontu edo funtzio hauek zaintzen dira: analisia, sintesia, indukzioa eta ulermen kritikoa. Oro har, kontzeptuak, lehenengo, kualitatiboki azaltzen dira; ondoren, haien formulazio matematikoa eta zenbakizko ebazpena jorratzen dira.



Bai ariketak bai laborategiko praktikak eskola teorikoekin uztartzen dira. Izan ere, haien helburua kontzeptu eta ezagutza teorikoa egoera anitzetan aplikatzea da. Gainera, nolabaiteko itzulerako bidea eginez, emaitza praktikoek hainbat kontzeptu teoriko azalduko dituzte, batez ere gailu idealen eta errealen arteko ezberdintasunak ulertzeko. Ikasleek atal praktikoak.jorratzeko egin beharreko lana oso garrantzitsua da: ariketak eta, batez ere, laborategiko praktikak prestatu egin behar dira aldez aurretik; izandako arazoak ulertu eta konpondu behar dira; eta, praktikei dagokienez, txostenak prestatu behar dira.

Proba idatziak: irakasgaiaren notaren %70. Honako proba honek bi atal izango ditu:

- Lehenengo zatia: Kontzeptu teorikoak. KANPORAKETA-PROBA bat da. Gutxienez 3 puntuko nota

eskatuko da idatzizko probaren bigarren zatia zuzentzeko.

- Bigarren zatia: Ariketak ebaztea.



Ebaluatuko diren alderdi garrantzitsuenak, honako hauek izango dira:

*Egoki arrazoitutako emaitza zuzenak.

*Ariketa edo buruketen planteamendu eta arrazoibide egokiak.

*Kontzeptuzko hutsegite larriak ez egotea eta garapen zuzena.

*Ebazpena lortzea eta aztertzea.



Laborategiko praktikak: irakasgaiaren notaren %30 dira. Laborategiko praktikak derrigorrezkoak dira. Haien prestaketa, garapena eta txostena ebaluatuko dira saioetan, lauhilekoaren amaieran, banakako azterketa egiten da. Ebaluatuko diren alderdi guztiak Ikaslearen Gidan zehazten dira.



Irakasgaia gainditzeko, batez besteko nota 5etik gora irteteaz gain, laborategiko atala gainditu behar da eta azterketa teorikoan 4,5etik gora atera behar da (baldin eta azken proba idatziaren kanporaketa-zatian eskatutako gutxieneko nota gainditzen bada).



Ohiko deialdian bakarrik atal nagusietako bat (azterketa idatzia zein laborategia) gainditu bada, atal horri dagokion nota hurrengo ezohiko deialdira arte gordeko da. Kasu honetan, lor daitekeen nota maximoa 4,5 izango da.



Ohiko deialdi bati uko egiteko, nahikoa da azterketa idatzira ez agertzea.

Ikasleek argitalpen zerbitzuan (irakasleok garatu dugun) honako material hau eskura dezakete:

- Eskola teorikoetarako ikasmateriala: liburua

Material hau, argitalpen zerbitzuan izateaz gain, eGela plataforman eskura daiteke. Izan ere, plataforma horretan material lagungarri ugari garatu eta jartzen dugu: laborategiko saioetan erabiliko diren osagaien datu-orriak; praktikak prestatzeko eta egiteko enuntziatu interaktiboak; autoebaluazio- eta ebaluazio-ariketak (ariketak zein test motakoak) eta aurreko urteetako azterketen enuntziatu eta soluzioak. eGela plataforma, gainera, ikasleen eta irakasleen arteko komunikaziorako bide ezinhobea da, ohiko posta elektronikoarekin batera.

Oinarrizko bibliografia

[1] Norbert R. Malik, "Circuitos Electrónicos. Análisis, Simulación y Diseño", Prentice Hall International Editions.

[2] Gerold W. Neudeck, "El Diodo PN de Unión", Addison - Wesley Iberoamericana, 1993.

[3] Gerold W. Neudeck, "El Transistor Bipolar de Unión", Addison - Wesley Iberoamericana, 1994.

[4] Robert F. Pierret, "Dispositivos de Efecto de Campo", Addison - Wesley Iberoamericana, 1994.

[5] R. L. Boylestad & L. Nashelsky, "Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos", Prentice Hall 2003.

[6] A. S. Sedra K. C. Smith, "Circuitos Microelectrónicos", Mc Graw Hill, 2006.

[7] A. R. Hambley, "Electrónica", Prentice Hall, 2001.