PBL II: Diseño, fabricación y caracterización de dispositivos de Alto Band-Gap: SiC y GaN
Datos generales de la materia
- Modalidad
- Mixta
- Idioma
- Castellano
Profesorado
| Nombre | Institución |
|---|---|
| AZKONA ESTEFANIA, NEKANE | Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea |
| CERECEDA MORIS, ENEKO | Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea |
| COLLANTES METOLA, JUAN MARIA | Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea |
| FANO LESTON, VANESA | Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea |
| GUTIERREZ SERRANO, JOSE RUBEN | Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea |
| JIMENO CUESTA, JUAN CARLOS | Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea |
| OTAEGI AIZPEOLEA, ALOÑA | Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea |
| PORTILLA RUBIN, JOAQUIN | Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea |
| RECART BARAÑANO, FEDERICO | Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea |
| RODRIGUEZ CUESTA, MARIA VELIA | Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea |
Competencias
Competencia para evaluar el comportamiento eléctrico de dispositivos semiconductores y de sus precursores no encapsulados.Competencia para detectar los límites de funcionamiento de un dispositivo y su relación con sus condiciones de trabajo, temperatura, nivel de excitación eléctrica o luminosa.Competencia para discernir entre diferentes defectos en un semiconductor y encontrar su correspondencia con su comportamiento eléctrico.Competencia para modelar el efecto de los defectos en el comportamiento eléctrico de los dispositivos.Interpretar, describir y seleccionar la topología de convertidor adecuada a la aplicación.Analizar, seleccionar y caracterizar el semiconductor adecuado a la aplicación.Analizar, seleccionar y diseñar el elemento pasivo adecuado a la aplicación.Diseñar y programar el hardware digital adecuado a la aplicación.Temario y Bibliografía
- Visitas a Ingeteam, Fagor Electrónica y Semi-Zabala para definición de estructuras a caracterizar
- Estimación de los parámetros internos de dispositivos
- Técnicas de localización de las regiones de disrupción o de los parámetros críticos (bordes, esquinas, defectos¿)
- Evaluación de los parámetros con degradaciones controladas (radiación) de los dispositivos
- Fabricación de semiconductores
- Caracterización de semiconductores
- Medida de emisiones y de componentes de alta frecuencia a través de un analizador de espectros.
Bibliografía:Avalanche breakdown voltages of abrupt and linearly graded p¿n junctions IN Ge, Si, GaAs, and GaP
Bibliografía:SM Sze, GI Gibbons - Applied Physics Letters, 1966
Bibliografía:Fundamentals of power semiconductor devices BJ Baliga - 2010
Bibliografía:Fundamentals of power semiconductor devices BJ Baliga - 2010
Bibliografía:S. M. Sze K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.), John Wiley & Sons, 2007.
Bibliografía:.
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