Programa específico: FET-Open - Ideas novedosas para tecnologías radicalmente nuevas
UPV/EHU: Coordinador
IP UPV/EHU: Aurelio Mateo Alonso
Inicio del proyecto: 01/01/2016
Fin del proyecto: 31/12/2018

Breve descripción: 2D-INK tiene como objetivo desarrollar tintas de nuevos materiales semiconductores 2D para procesos de fabricación de bajo coste en grandes áreas sobre sustratos aislantes mediante una nueva metodología, que superará las propiedades de las tintas de última generación basadas en grafeno y óxido de grafeno. Lograr esto representaría un importante paso adelante en el procesamiento de materiales semiconductores 2D y proporcionaría los parámetros clave para fabricar la próxima generación de dispositivos electrónicos ultrafinos.

El alto riesgo inherente de 2D-INK se contrarresta con un equipo de investigación fuertemente interdisciplinario compuesto por 9 socios (8 académicos + 1 PYME) con experiencia demostrada en sus campos correspondientes y con antecedentes diferentes pero altamente complementarios. Por tanto, solo juntos y en sinergia podrán abordar los desafíos de los múltiples aspectos de investigación e innovación de 2D-INK que cubren toda la cadena de valor, desde el diseño y la síntesis de materiales, la caracterización, la formulación y el procesamiento hasta la implementación del dispositivo.

Además, 2D-INK tiene el potencial de revolucionar la investigación sobre materiales semiconductores 2D mucho más allá de los intereses actuales en la síntesis (alto impacto), ya que la dispersión y formulación eficiente de materiales semiconductores 2D en tintas permite las aplicaciones de materiales semiconductores 2D en diferentes disciplinas científicas y tecnológicas, como la electrónica, la detección, la fotónica, el almacenamiento y la conversión de energía, la espintrónica, etc.